芯源HFG610-65 具有集成 GaN HEMT 的高頻準(zhǔn)諧振反激式穩(wěn)壓器

更多信息請(qǐng)點(diǎn)擊HFG610-65 

HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器，專用于高性能和高頻設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同，HFG610-65 中的頻率折返功能可確保全負(fù)載范圍內(nèi)的高效率。

HFG610-65 是一款基于副邊調(diào)節(jié) (SSR) 的原邊調(diào)節(jié)器，它必須與副邊反饋電路（例如 TL431 和光耦合器）配合使用。其高頻率縮小了無源元件的尺寸并實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。HFG610-65 還集成了高壓啟動(dòng)和 X 電容放電電路，并在突發(fā)模式下具有超低靜態(tài)電流 (IQ)，因此空載功耗低于 30mW。

該器件采用專有谷值鎖定技術(shù)，可抑制運(yùn)行過程中的谷值跳躍，因此可避免噪聲的產(chǎn)生。它還具有寬VCC電壓（VCC）范圍，因此適用于具有寬輸出電壓（VOUT）范圍的應(yīng)用，而且無需添加輔助繞組。

HFG610-65 具有先進(jìn)的保護(hù)功能，包括原邊采樣輸出過壓保護(hù) (ZCD OVP)、原邊采樣輸出欠壓保護(hù) (ZCD UVP)、VCC 過壓保護(hù) (VCC OVP)、輸出過載保護(hù) (OLP) 、內(nèi)部欠壓保護(hù)和開啟 (B/O和B/I)、短路保護(hù) (SCP)、電流采樣開路/短路保護(hù) (CSOP/SSP)、內(nèi)部過溫關(guān)斷 (OTP)保護(hù)和欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)。

HFG610-65 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封裝。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)

集成 700V/165mΩ GaN HEMT

創(chuàng)新專有準(zhǔn)諧振 (QR) 控制，可消除可聞噪聲

頻率折返功能和突發(fā)模式可實(shí)現(xiàn)低輕載功耗

超寬 VCC 電壓 (VCC) 范圍，適用于 USB 供電 (PD) 應(yīng)用

內(nèi)置 X 電容放電器

內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路

采用 PD 協(xié)議 IC ，具有超低待機(jī)功耗 (<30mW)

峰值電流模式控制和前沿消隱

欠壓鎖定 (UVLO)保護(hù)