芯源MPQ6653AGDTE-AEC1 集成霍爾傳感器的單相 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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MPQ6653AGDTE-AEC11  是一款帶集成功率 MOSFET 和嵌入式霍爾傳感器的單相直流無(wú)刷 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。它可以驅(qū)動(dòng)單相 BLDC 電機(jī)，峰值電流高達(dá) 1.2A，輸入電壓 (VIN) 范圍在 3.5V 至 35V 之間。

MPQ6653AGDTE-AEC1 通過(guò)PWM 引腳上的脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)或直流電壓控制電機(jī)速度，同時(shí)具有可配置軟換向、霍爾偏移角和速度曲線配置功能。

其FG/RD 引腳可用作基于嵌入式霍爾傳感器輸出的轉(zhuǎn)速指示器 (FG)，或在觸發(fā)堵轉(zhuǎn)保護(hù)時(shí)用作堵轉(zhuǎn)指示器 (RD)。

該器件提供豐富的保護(hù)功能，包括輸入過(guò)壓保護(hù) (OVP)、欠壓鎖定 (UVLO)保護(hù)、堵轉(zhuǎn)保護(hù)、過(guò)流保護(hù) (OCP) 和過(guò)溫關(guān)斷保護(hù)。

MPQ6653AGDTE-AEC1 采用側(cè)面鍍錫的 TQFN-6 (2mmx3mm) 封裝，并符合 AEC-Q100 等級(jí)1認(rèn)證。

MPQ6653AGJS-AEC1 和 MPQ6653AGJ-AEC1 是與該器件功能相同的另兩款器件，但它們分別采用 TSOT23-6-SL 和 TSOT23-6 封裝。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)

3.5V 至 35V 工作輸入電壓 (VIN) 范圍

片上霍爾傳感器

集成上管 MOSFET (HS-FET) 和下管 MOSFET (LS-FET)：960mΩ

可選開(kāi)環(huán)或閉環(huán)速度

可配置曲線

可配置啟動(dòng)占空比

可配置停止占空比

軟換向

可配置軟加速時(shí)間

可配置霍爾超前/滯后角

支持 50Hz 至 100kHz 脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入頻率或 DC 輸入

自動(dòng)反向電流阻斷

24kHz PWM 輸出頻率

可配置電流限制

短路保護(hù) (SCP)

過(guò)壓保護(hù) (OVP)

待機(jī)模式

可選 FG 或 RD 輸出

采用 TQFN-6 (2mmx3mm) WF封裝

符合AEC-Q100 等級(jí)1認(rèn)證