新品快訊 | Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計(jì)靈活性

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司正在持續(xù)擴(kuò)充其N(xiāo)extPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對(duì)低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機(jī)控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計(jì)人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。

許多MOSFET制造商在將其器件的開(kāi)關(guān)性能與其他產(chǎn)品進(jìn)行對(duì)比時(shí)，特別看重是否能通過(guò)低QG(tot)和低QGD實(shí)現(xiàn)高效率。然而，通過(guò)廣泛的研究，Nexperia發(fā)現(xiàn)Qrr同樣重要，因?yàn)樗鼤?huì)影響尖峰表現(xiàn)，進(jìn)而影響器件開(kāi)關(guān)期間產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)量。通過(guò)專(zhuān)注于研究該參數(shù)，Nexperia大大降低了其N(xiāo)extPower 系列80/100 V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平，同時(shí)也降低了它們產(chǎn)生的EMI量。如果最終用戶(hù)的應(yīng)用在后期未通過(guò)電磁兼容性(EMC)測(cè)試，而需要重新設(shè)計(jì)時(shí)，這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本，從而為最終用戶(hù)帶來(lái)顯著的益處。 

與當(dāng)前可用的器件相比，這些新MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDSon)降幅高達(dá)31%。Nexperia還計(jì)劃在今年晚些時(shí)候進(jìn)一步加強(qiáng)其N(xiāo)extPower 80/100 V產(chǎn)品組合，再發(fā)布一款LFPAK88 MOSFET，在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on)，同時(shí)在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212。為了進(jìn)一步支持這些器件的設(shè)計(jì)導(dǎo)入和驗(yàn)證，Nexperia屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，為工程師提供了全面且用戶(hù)友好的器件行為分析。 

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 Nexperia (安世半導(dǎo)體) 

Nexperia（安世半導(dǎo)體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，目前在歐洲、亞洲和美國(guó)共有14,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的器件被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。 

Nexperia（安世半導(dǎo)體）為全球客戶(hù)提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過(guò)1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準(zhǔn)，獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia（安世半導(dǎo)體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿(mǎn)足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

Nexperia：效率致勝。

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