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至譽(yù)科技 | 美光(Micron)用176層閃存技術(shù)刷新存儲(chǔ)市場(chǎng)!

至譽(yù)科技 | 美光(Micron)用176層閃存技術(shù)刷新存儲(chǔ)市場(chǎng)!

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12nm工藝節(jié)點(diǎn),刷新存儲(chǔ)效率

2020年末,美光科技(Micron)率先推出了基于176層TLC NAND的B47R存儲(chǔ)技術(shù),采用更先進(jìn)的制程,相較于96層TLC NAND,成功縮小了30%的組件體積,并增加高達(dá)40%的存儲(chǔ)空間。此外,176層TLC NAND相較現(xiàn)有主流3D TLC支持更高速傳輸,可充分發(fā)揮PCIe Gen 4固態(tài)硬盤的帶寬優(yōu)勢(shì)。


創(chuàng)新電路架構(gòu),解鎖更高性能

目前市場(chǎng)上采用的3D TLC固態(tài)硬盤運(yùn)行速度可達(dá)到1200 MT/s。而美光最新推出的B47R存儲(chǔ),在擁有176層NAND的同時(shí),也對(duì)存儲(chǔ)架構(gòu)進(jìn)行了重點(diǎn)更新。美光本次采用CuA(CMOS-under-array)架構(gòu),通過(guò)創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)打造強(qiáng)大的處理性能,實(shí)現(xiàn)高達(dá)1600 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,同時(shí)將功耗維持在較低的水平,相較舊有同容量SSD盤性能在提高325 MB/s的狀況下,功耗僅上升0.2W,不增加整體系統(tǒng)的電力負(fù)荷。


更低延遲,深化應(yīng)用布局

此外,由于B47R優(yōu)化讀寫延遲達(dá)35%,進(jìn)一步提升了服務(wù)質(zhì)量(Quality of Service,QoS),可使得存儲(chǔ)裝置能夠迅速地適應(yīng)數(shù)據(jù)密集型的環(huán)境和工作負(fù)載,如數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)、人工智能(AI)引擎、云存儲(chǔ)、邊緣計(jì)算和大數(shù)據(jù)分析等。在5G智能手機(jī)的應(yīng)用上,QoS的提升也意味著更高的應(yīng)用程序啟動(dòng)效率,用戶可在不同程序之間無(wú)縫切換。結(jié)合5G低延遲網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度,176層NAND運(yùn)用于盤上可望為用戶帶來(lái)更流暢的移動(dòng)體驗(yàn),實(shí)現(xiàn)多任務(wù)處理和超快的程序響應(yīng)能力。

在性價(jià)比方面,由于176層閃存的存儲(chǔ)密度為早期3D NAND的將近十倍,這使得存儲(chǔ)裝置可以在保有平實(shí)價(jià)格的前提下,存儲(chǔ)更多的信息、改善人們的日常生活,非常適合移動(dòng)裝置、車載、客戶端及消費(fèi)型應(yīng)用。我們可以期待,高層數(shù)存儲(chǔ)會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)促進(jìn)下游設(shè)備的創(chuàng)新和技術(shù)發(fā)展。


至譽(yù)科技精選硬件x自主開(kāi)發(fā)固件

至譽(yù)科技與美光科技的合作關(guān)系,讓我們可以盡快地導(dǎo)入176層的新型閃存硬件。至譽(yù)科技的CFexpress存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線與即將推出的E1.S固態(tài)硬盤皆支持176層閃存,順序?qū)懭胄阅芟噍^舊有提升至1.5倍左右。另外,至譽(yù)科技自主開(kāi)發(fā)的固件算法,讓我們可以打造出擁有工業(yè)級(jí)和商用級(jí)性能的解決方案。更多產(chǎn)品和商業(yè)信息,請(qǐng)聯(lián)系我們了解:sales@exascend.com

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王妍
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