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KEYENCE基恩士推出SI-F80R系列分光干涉式激光位移計(jì)

供稿：基恩士（中國(guó)）有限公司 2011/10/14 15:44:24
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產(chǎn)品索引

分光干涉式晶片厚度計(jì)

采用近紅外 SLD，即使已貼附 BG 帶也可測(cè)量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于圖案而產(chǎn)生的顯著差異，也可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的生產(chǎn)線上測(cè)量。

產(chǎn)品特性

精確的只測(cè)量晶片厚度

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SI-F80R 系列使用近紅外 SLD，可穿過(guò)硅、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、非晶硅及其它半導(dǎo)體。即使晶片已封上 BG（背磨）膠帶，也可精確測(cè)出晶片厚度。

幾乎不受晶片圖案的影響

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通過(guò)減小光點(diǎn)直徑和光點(diǎn)內(nèi)的表面相差，可最大限度的減少晶片表面圖案的變化和測(cè)量警報(bào)的發(fā)生次數(shù)。

之前的所有問(wèn)題迎刃而解

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[傳統(tǒng)方式] 接觸式測(cè)量		使用兩個(gè)傳感器一上一下不接觸晶片進(jìn)行測(cè)量


• 測(cè)量時(shí)可能會(huì)損壞晶片。 • 傳感器將測(cè)量包括 BG 膠帶在內(nèi)的高度，一旦膠帶厚度發(fā)生變化，整個(gè)結(jié)果就會(huì)出現(xiàn)誤差。		• 很難在一條直線上對(duì)齊兩個(gè)傳感器的光軸。 • 傳感器將測(cè)量包括 BG 膠帶在內(nèi)的厚度，一旦膠帶厚度發(fā)生變化，整個(gè)結(jié)果就會(huì)出現(xiàn)誤差。



緊靠生產(chǎn)線進(jìn)行簡(jiǎn)單精確的測(cè)量		在生產(chǎn)線中持續(xù)監(jiān)控


• 只需將傳感器放在距離晶片 80 mm 的位置，即可輕松進(jìn)行測(cè)量。 • 不接觸晶片，避免晶片損傷。 • 傳感器可直接只測(cè)量晶片厚度，因此測(cè)量不受 BG 膠帶的影響。		• 小巧的傳感頭可安裝在距離晶片 80 mm 的位置，因此可在拋光的同時(shí)在設(shè)備內(nèi)部持續(xù)監(jiān)控晶片厚度。