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高效控制:類比半導(dǎo)體DR7808在新能源汽車中的應(yīng)用

高效控制:類比半導(dǎo)體DR7808在新能源汽車中的應(yīng)用

2024/7/26 15:10:46

一、八半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)DR7808:應(yīng)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的前沿挑戰(zhàn)

在新能源汽車領(lǐng)域,隨著車輛電氣化程度的加深,電機(jī)預(yù)驅(qū)技術(shù)面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)電機(jī)控制方法,如分立元件與繼電器的組合,逐漸顯露出局限性,無法滿足行業(yè)對(duì)高性能、成本效率、尺寸緊湊性、安全性和多功能性的新需求。在此背景下,類比半導(dǎo)體推出了DR7808八半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,旨在解決行業(yè)痛點(diǎn),推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。

與國(guó)際競(jìng)品相比,DR7808不僅全面覆蓋了基礎(chǔ)功能,更在支持4路PWM信號(hào)輸入、過流保護(hù)閾值的精細(xì)化調(diào)節(jié)、高低邊驅(qū)動(dòng)模式的智能切換、上下管握手邏輯的強(qiáng)化以及離線診斷與在線電流檢測(cè)等多個(gè)方面進(jìn)行了深度優(yōu)化和增強(qiáng)。這些創(chuàng)新設(shè)計(jì),不僅滿足了客戶對(duì)靈活設(shè)計(jì)應(yīng)用的追求,同時(shí)也確保了系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性和安全性。

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表1  DR7808與國(guó)際主流競(jìng)品參數(shù)對(duì)照表

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 表2  DR7808的產(chǎn)品參數(shù)與硬件框架

二、DR7808性能特點(diǎn)與技術(shù)創(chuàng)新

2.1 PWM4功能與應(yīng)用:四路PWM驅(qū)動(dòng),覆蓋更多應(yīng)用場(chǎng)景

對(duì)于座椅記憶功能及其他需要協(xié)調(diào)四個(gè)電機(jī)同步工作的應(yīng)用,DR7808的EN_PWM4引腳展現(xiàn)出了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。通過巧妙地設(shè)置CSA_OC_SH寄存器中的HB6_PWM4_EN位,EN_PWM4可以轉(zhuǎn)換成為第四個(gè)PWM輸入,專門用于驅(qū)動(dòng)HB6橋臂。這一設(shè)計(jì)突破了行業(yè)界限,顯著區(qū)別于最大僅支持三個(gè)PWM通道的競(jìng)品,為多電機(jī)同步控制開辟了新的可能性。

如下示意圖,我們簡(jiǎn)單概述了PWM正向控制與反向控制的配置流程及信號(hào)流向。通過將EN_PWM4引腳映射至HB6,HB6內(nèi)的HS和LS可根據(jù)HB6_MODE寄存器的設(shè)定轉(zhuǎn)換為有源MOSFET,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)PWM驅(qū)動(dòng)下的正向與反向操作。當(dāng)HB6由EN_PWM4信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),外部MOSFET的充電與放電過程受到精細(xì)化管理,而這一過程的靜態(tài)電流則由ST_ICHG寄存器中的HB6ICHGST位精準(zhǔn)調(diào)控。

值得注意的是,EN_PWM4引腳在默認(rèn)狀態(tài)下?lián)涡酒鼓艿慕巧?。一旦HB6_PWM4_EN位被激活,即使EN_PWM4引腳被拉低,芯片也不會(huì)隨即進(jìn)入禁用狀態(tài)。正常應(yīng)用下,可通過SPI配置重新HB6_PWM4_EN為低來復(fù)位EN_PWM4引腳為芯片使能。同時(shí)VDD電源下電或是看門狗超時(shí),HB6_PWM4_EN將被復(fù)位,EN_PWM4引腳將重新承擔(dān)起使能職責(zé)。隨后,當(dāng)EN_PWM4引腳再次被斷言為低電平時(shí),芯片將執(zhí)行重置操作。為了確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,一個(gè)推薦的軟件實(shí)踐是在喂狗前連續(xù)讀取0x00寄存器三次,若讀取數(shù)據(jù)三次完全一致,則視為喂狗成功;相反,若未能滿足這一條件,則需將EN_PWM4引腳設(shè)置為高電平狀態(tài),以防后續(xù)看門狗超時(shí)引發(fā)的意外重置。

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圖1 正向PWM操作示例

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圖2  反向PWM操作示例

2.2 柵極驅(qū)動(dòng)與過流保護(hù):精細(xì)調(diào)節(jié)與成本優(yōu)化

DR7808芯片在柵極驅(qū)動(dòng)電流調(diào)節(jié)與過流保護(hù)方面展現(xiàn)出卓越的性能。其過流保護(hù)門限覆蓋了從0.075V至2V的寬泛范圍,提供16檔精細(xì)調(diào)節(jié),這一設(shè)計(jì)顯著優(yōu)于競(jìng)品0.15V至2V的8檔位調(diào)節(jié)范圍,使DR7808得以在小電流應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出色的適應(yīng)性和安全性。

不僅如此,DR7808每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器能夠通過32個(gè)檔位精確控制1.0mA至約100mA的電流變化,這一特性直接挑戰(zhàn)了傳統(tǒng)做法中通過在門級(jí)驅(qū)動(dòng)回路中串接不同阻值電阻來改變邊沿斜率,以減小MOS開啟瞬間電流尖峰的做法。DR7808的這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)無需額外電阻,減少了外圍組件數(shù)量,從而降低了成本,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程,同時(shí)也使得調(diào)試工作變得更加便捷。

DR7808芯片在柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)有源MOSFET和續(xù)流MOSFET的充電與放電電流的精密控制,具體配置步驟如下:

1. 初始化配置:首先,通過設(shè)置GENCTRL1寄存器中的REG_BANK位,確定即將訪問的控制寄存器組。

2. 有源MOSFET電流控制:

o 充電電流:利用PWM_ICHG_ACT寄存器(當(dāng)REG_BANK=0時(shí)),精確設(shè)定有源MOSFET的充電電流。

o 放電電流:通過PWM_IDCHG_ACT寄存器(同樣在REG_BANK=0時(shí)),配置有源MOSFET的放電電流。

3. 續(xù)流MOSFET電流控制:借助PWM_ICHG_FW寄存器(在REG_BANK=1時(shí)),同時(shí)配置續(xù)流MOSFET的充電和放電電流,確保其在PWM操作下的性能最優(yōu)。

 

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圖3  PWM操作時(shí)可配置的放電電流

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圖4  PWM操作時(shí)可配置的充電電流

2.3 高級(jí)檢測(cè)與保護(hù)機(jī)制:確保H橋驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定與安全

2.3.1 上下管死區(qū)控制與保護(hù)優(yōu)化

在H橋功率驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,上下管的死區(qū)控制是確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和安全性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)方法依賴于MCU算法計(jì)算死區(qū)時(shí)間,采用軟件方式進(jìn)行控制,然而在極端條件下,這種做法的可靠性備受質(zhì)疑。例如,死區(qū)時(shí)間設(shè)置不當(dāng)、Cgd對(duì)柵極電壓的耦合效應(yīng)、極限占空比等因素都可能導(dǎo)致上下管同時(shí)導(dǎo)通,引發(fā)系統(tǒng)故障。

針對(duì)這一挑戰(zhàn),類比半導(dǎo)體在DR7808芯片中引入了一系列創(chuàng)新技術(shù),包括動(dòng)態(tài)死區(qū)監(jiān)控、柵極Hardoff抗耦合、PWM占空比補(bǔ)償和極限占空比補(bǔ)償,以解決傳統(tǒng)方法的不足。用戶只需簡(jiǎn)單設(shè)置相關(guān)參數(shù),芯片內(nèi)置的握手檢測(cè)機(jī)制便會(huì)通過電壓邏輯判斷,當(dāng)上橋MOS開啟時(shí),自動(dòng)對(duì)下橋MOS實(shí)施內(nèi)部Hardoff電流強(qiáng)下拉,確保在任意死區(qū)配置下,上下橋MOS絕不會(huì)同時(shí)開啟,從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定與可靠。

2.3.2 豐富診斷保護(hù)機(jī)制示例

DR7808芯片配備了全面的診斷與保護(hù)機(jī)制,以應(yīng)對(duì)各類潛在故障。以下以供電電壓VM異常為例,展示芯片的響應(yīng)流程:

1. 當(dāng)供電電壓VM從正常值12V驟降至4.5V時(shí),芯片立即觸發(fā)欠壓保護(hù)機(jī)制。

2. 在數(shù)據(jù)格式中,0x08的Global status Byte(GEF)值表明SUPE位被置1,芯片檢測(cè)到Power error,并自動(dòng)上傳故障標(biāo)志。

3. 同時(shí),General Status Register將提供更詳盡的故障信息,確保故障狀態(tài)的及時(shí)上報(bào)與處理。

 

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圖5   VM過壓欠壓下的輸出行為

 

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圖6  VM欠壓時(shí)的GEF數(shù)據(jù)捕獲及上傳

2.4 Off-brake保護(hù)機(jī)制:守護(hù)電機(jī)與系統(tǒng)安全

在特定工作場(chǎng)景下,如工廠裝配線上的尾門自動(dòng)調(diào)整或座椅折疊過程,若電池未能及時(shí)為控制板供電,電機(jī)在運(yùn)動(dòng)中產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)(Back EMF)可能逆向流入電源端,對(duì)周邊電路元件構(gòu)成威脅,尤其是對(duì)敏感的TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)和MOSFET造成潛在傷害。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn),DR7808芯片集成了off-brake保護(hù)功能,有效地化解了這一風(fēng)險(xiǎn)。

當(dāng)DR7808芯片處于passive模式時(shí),其內(nèi)置傳感器持續(xù)監(jiān)測(cè)供電電壓VS。一旦檢測(cè)到VS電壓超過安全閾值32.5V,芯片即刻響應(yīng),自動(dòng)啟動(dòng)LS4至LS1的MOSFET,迫使電機(jī)迅速進(jìn)入剎車狀態(tài)。這一動(dòng)作迅速削減了反向電動(dòng)勢(shì),避免了電機(jī)的非計(jì)劃旋轉(zhuǎn),同時(shí)保護(hù)了系統(tǒng)免受高電壓沖擊。

隨后,系統(tǒng)將自動(dòng)監(jiān)控VS電壓的下降趨勢(shì),直至其穩(wěn)定降至30V以下。此時(shí),off-brake機(jī)制自動(dòng)解除,LS4至LS1的MOSFET隨之關(guān)閉,恢復(fù)正常操作狀態(tài)。這一連貫的off-brake保護(hù)過程確保了VS電壓始終保持在安全范圍內(nèi),有效防止了TVS和MOSFET因過壓而損壞,維護(hù)了整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

 

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圖7  off-brake保護(hù)機(jī)制波形

2.5 離線診斷機(jī)制:精密檢測(cè)與故障排查

DR7808芯片通過離線狀態(tài)診斷功能,能夠精準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)輸出端對(duì)電源短路、對(duì)地短路以及負(fù)載開路的檢測(cè),這一機(jī)制在設(shè)計(jì)上獨(dú)具匠心,為每個(gè)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器提供了上拉電流(典型值為500μA),并在驅(qū)動(dòng)器激活狀態(tài)(BD_PASS=0)時(shí),于SHx引腳處提供下拉電流(典型值為1000μA),確保了診斷過程的穩(wěn)定與精確。

2.5.1 診斷步驟與原理

? MOSFET對(duì)地短路檢測(cè):設(shè)置BD_PASS=0,HBx_MODE為00b或11b,并激活HBxIDIAG=0,同時(shí)開啟內(nèi)部上拉電流,將SHx電壓拉至接近VDRAIN。待一定時(shí)間后,通過讀取HBxVOUT寄存器,若其值為0b,則表明MOSFET存在對(duì)地短路現(xiàn)象。

? MOSFET對(duì)電池短路檢測(cè):同樣將BD_PASS設(shè)為0,HBx_MODE配置為00b或11b,但此時(shí)HBxIDIAG應(yīng)設(shè)為1,以啟用內(nèi)部下拉電流,將SHx電壓拉至接近SL。隨后,讀取HBxVOUT寄存器,若讀得值為1b,則說明MOSFET與電池相連,存在短路狀況。

? 空載檢測(cè):此步驟涉及HBx與HBy之間的電機(jī)連接檢測(cè)。首先,將BD_PASS設(shè)為0,HBx_MODE與HBy_MODE均配置為00b或11b,HBxIDIAG設(shè)為0以激活HBx通道的上拉電流,同時(shí)HBy通道的HBxIDIAG設(shè)為1以啟用下拉電流。等待一段時(shí)間后,讀取HBxVOUT和HByVOUT寄存器。若電機(jī)正常連接,SHx與Shy均會(huì)被下拉至SL,此時(shí)HBxVOUT與HByVOUT讀數(shù)均為0b;若電機(jī)斷開,SHx將被上拉至VDRAIN,而Shy則下拉至SL,HBxVOUT讀數(shù)為1b,HByVOUT讀數(shù)為0b。

值得注意的是,上述離線檢測(cè)功能的有效發(fā)揮,需滿足橋驅(qū)動(dòng)程序處于活動(dòng)狀態(tài)(即BD_PASS=0),并且相應(yīng)半橋處于斷開模式(HBxMODE=00b或11b)的前提條件。每個(gè)柵極的下拉電流驅(qū)動(dòng)器由HBIDIAG寄存器中的控制位HBxIDIAG激活,這一精細(xì)控制確保了診斷過程的準(zhǔn)確執(zhí)行。在微控制器執(zhí)行離線狀態(tài)診斷時(shí),為確保檢測(cè)的準(zhǔn)確性,相關(guān)半橋的VDSOV閾值橋接器需通過軟件配置,設(shè)置為2V的標(biāo)稱值。這一配置步驟是實(shí)現(xiàn)離線診斷功能的關(guān)鍵,確保了檢測(cè)過程中的信號(hào)穩(wěn)定與結(jié)果的可靠性。

通過以上精心設(shè)計(jì)的配置步驟,微控制器能夠準(zhǔn)確獲取HBxVOUT的狀態(tài),從而高效、可靠地完成離線診斷任務(wù),為設(shè)計(jì)者提供了強(qiáng)大而實(shí)用的故障排查工具,增強(qiáng)了DR7808芯片在復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景下的適應(yīng)能力和系統(tǒng)維護(hù)的便利性。

2.6 精準(zhǔn)電流檢測(cè):實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與優(yōu)化

DR7808芯片內(nèi)部集成了兩個(gè)高精度CSA電流檢測(cè)運(yùn)放,其在offset精度上展現(xiàn)出色表現(xiàn),誤差僅約1mV,這一特性顯著優(yōu)于國(guó)際大廠競(jìng)品。芯片設(shè)計(jì)的靈活性體現(xiàn)在其支持多種電流檢測(cè)方式,既可在電源端串聯(lián)檢流電阻,亦可在接地端使用分流電阻,甚至在電機(jī)內(nèi)部串聯(lián)分流電阻進(jìn)行檢測(cè),其中電機(jī)端檢測(cè)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)雙向電流,確保了電機(jī)運(yùn)行狀態(tài)的全面掌握。

為避免PWM信號(hào)引起電流檢測(cè)運(yùn)放輸入端的高共模電壓擺動(dòng),建議將PWM信號(hào)應(yīng)用于未連接分流電阻的半橋端。這一布局方式可有效減少信號(hào)干擾,確保電流檢測(cè)的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性。如圖8所示,展示了PWM與分流電阻在電機(jī)中的典型應(yīng)用布局,直觀地呈現(xiàn)了這一優(yōu)化連接策略。

 

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圖8  PWM和分流電阻應(yīng)用在電機(jī)示意圖

在某些應(yīng)用場(chǎng)景下,PWM信號(hào)不可避免地需要應(yīng)用于分流電阻所在的半橋。此時(shí),為消除高共模電壓跳變導(dǎo)致的CSA輸出電壓毛刺,應(yīng)通過設(shè)置CSAx_SH_EN寄存器(x=1,2)啟用CSA PWM抑制功能。同時(shí),CSAx_SEL寄存器的配置需指向需采樣的半橋,確保在PWM切換期間,CSA輸出保持采樣狀態(tài),有效避免電壓毛刺的產(chǎn)生。采樣與保持時(shí)間由tcp與tblank決定,這一機(jī)制進(jìn)一步提升了電流檢測(cè)的精度與可靠性。

三、DR7808:拓展應(yīng)用的無限可能

DR7808芯片憑借其8個(gè)獨(dú)立可控的半橋設(shè)計(jì),展現(xiàn)出了卓越的靈活性與拓展性。每個(gè)半橋的上下管均可獨(dú)立控制,意味著單顆芯片即可支持高達(dá)4個(gè)H橋配置,或靈活配置為8路高邊驅(qū)動(dòng)或低邊驅(qū)動(dòng)。這一設(shè)計(jì)突破了傳統(tǒng)方案的局限,為設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的自由度,尤其是在功能域場(chǎng)景中,能夠滿足大量高邊或低邊驅(qū)動(dòng)的需求。

傳統(tǒng)應(yīng)用中,大量高邊驅(qū)動(dòng)通常依賴于分立器件,如達(dá)林頓管和繼電器的組合。然而,這些方案存在明顯的缺點(diǎn),包括器件面積大、機(jī)械開關(guān)壽命短、噪聲問題以及高壓觸點(diǎn)粘連風(fēng)險(xiǎn),加之需要額外電路實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能,增加了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本。相比之下,DR7808的高度集成化設(shè)計(jì)展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),不僅提供了單芯片8路高邊或低邊驅(qū)動(dòng)的能力,還內(nèi)建了豐富的保護(hù)機(jī)制,涵蓋過流、過壓、欠壓和過溫等多重防護(hù),配合SPI通信故障診斷上傳機(jī)制,為系統(tǒng)級(jí)功能安全奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

在高低邊應(yīng)用中,DR7808的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)特別針對(duì)不同場(chǎng)景進(jìn)行了優(yōu)化,當(dāng)用于高邊應(yīng)用時(shí),可以省略低邊MOS的使用,反之亦然。這一設(shè)計(jì)上的考量不僅簡(jiǎn)化了電路布局,還大幅降低了物料成本,提升了系統(tǒng)的整體性價(jià)比。在擁有大量高低邊設(shè)計(jì)需求的場(chǎng)景下,DR7808相比國(guó)際競(jìng)品展現(xiàn)出更加明顯的優(yōu)勢(shì),無論是成本控制還是性能表現(xiàn),均能脫穎而出。

 

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圖9 DR7808設(shè)計(jì)及應(yīng)用場(chǎng)景

四、總結(jié)

類比半導(dǎo)體的電驅(qū)產(chǎn)品系列,以其與市面上通用產(chǎn)品BOM的無縫兼容性,不僅簡(jiǎn)化了軟件設(shè)計(jì)流程,還確保了硬件設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)潔高效,為行業(yè)樹立了全新的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。在性能層面,我們超越了市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,不僅在關(guān)鍵指標(biāo)上領(lǐng)跑,更深入挖掘客戶需求,引入了一系列創(chuàng)新功能,直擊行業(yè)痛點(diǎn),重塑電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的技術(shù)格局。

作為類比半導(dǎo)體電驅(qū)產(chǎn)品線的杰出代表,DR7808八半橋預(yù)驅(qū)芯片憑借其卓越的電流精度、強(qiáng)化的握手邏輯、出色的穩(wěn)定性和可靠性,完美貼合了市場(chǎng)對(duì)多電機(jī)控制日益增長(zhǎng)的需求。在汽車工業(yè)邁向智能化與中央集成化的大趨勢(shì)下,DR7808以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),不僅為客戶提供了一站式解決方案,包括GUI軟件和C語言底層驅(qū)動(dòng)在內(nèi)的完整技術(shù)服務(wù),更助力客戶產(chǎn)品在全球競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出,為智能出行時(shí)代注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)行業(yè)伙伴共同探索電驅(qū)技術(shù)的無限可能,類比半導(dǎo)體承諾以專業(yè)、創(chuàng)新的態(tài)度,與您一同迎接挑戰(zhàn),把握機(jī)遇,共創(chuàng)智能出行的美好未來。熱烈歡迎來電洽談合作,讓我們攜手書寫電驅(qū)領(lǐng)域的嶄新篇章,引領(lǐng)行業(yè)邁向更高成就。

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關(guān)于類比半導(dǎo)體

類比半導(dǎo)體是一家模擬及數(shù)?;旌闲酒徒鉀Q方案供應(yīng)商,公司成立于2018年,由一批來自于國(guó)際頂尖半導(dǎo)體公司的本土工程師創(chuàng)建。公司總部位于上海,在蘇州、深圳、西安、北京分別設(shè)有研發(fā)和技術(shù)支持中心。公司專注于汽車智能驅(qū)動(dòng)、線性產(chǎn)品、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域的芯片設(shè)計(jì),產(chǎn)品主要面向工業(yè)和汽車等市場(chǎng)。類比致力于為客戶提供高品質(zhì)芯片,為世界科技化和智能化發(fā)展提供底層的芯片支持。更多信息請(qǐng)搜索“類比半導(dǎo)體”微信公眾號(hào)關(guān)注我們。

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